在美国加州圣塔克拉拉举行的2026 FMS Conference上，SK海力士与SanDisk公布HBF初步规格与路线图。首版规格最高容量达512GB，频宽约0.4 TB/s至3.0 TB/s，并采用UCIe连接处理器。SanDisk还展示了在特定AI推论情境下的测试案例，HBF被定位为介于HBM与传统NAND之间的新内存层级。

AI 推理正把存储从配角推向前台。文章指出，随着查询量、多模态数据和 AI agent 带动可访问数据规模上升，NAND 正从传统商品型存储转向 AI 基础设施中的容量层。Sandisk 预计到 2030 年企业数据中心闪存需求将达 1.2 ZB，并推进 HBF、QLC 与长期客户协议，市场关注点也从短期涨价转向更强 bit 需求与更稳的供应纪律。

铠侠与闪迪在 FMS 上发布最新 BiCS10 3D QLC NAND 闪存芯片，称其为目前全球已正式推出的最高存储密度 3D NAND 产品。该芯片采用 332 层堆叠结构，单位面积存储密度达 37 Gb/mm²，接口速率最高 4800 MT/s，并支持独立命令地址功能，面向高容量数据中心级 SSD 市场。两家公司还引入 PI-LTT 技术，以提升高速信号完整性并降低输出驱动功耗。

爆料称，iPhone 18 Pro系列起售价或上调，1TB与2TB版本还可能由TLC改为QLC NAND。256GB与512GB版本据称维持TLC，实际配置仍待苹果正式公布。